新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（以下簡(jiǎn)稱“實(shí)驗(yàn)室”）依托于廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“風(fēng)華高科”），主要從事高端新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝所面臨的基礎(chǔ)和共性技術(shù)課題的研究。實(shí)驗(yàn)室設(shè)立開放課題基金，資助國(guó)內(nèi)外科技工作者依托實(shí)驗(yàn)室開展研究工作。實(shí)驗(yàn)室開放課題面向國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究領(lǐng)域的大學(xué)、研究所等單位，凡具備申請(qǐng)條件的研究人員均可提出申請(qǐng)。具體規(guī)定請(qǐng)參見實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)站發(fā)布的《新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題管理辦法》。

一、實(shí)驗(yàn)室研究方向

實(shí)驗(yàn)室研究方向包括片式元件關(guān)鍵材料與工藝技術(shù)、薄膜電子元器件材料及制備技術(shù)、無源集成電子元器件及封裝技術(shù)三個(gè)方向。

二、實(shí)驗(yàn)室開放課題

實(shí)驗(yàn)室開放課題分為自主命題開放課題和指定命題開放課題。其中自主命題開放課題為符合實(shí)驗(yàn)室研究方向的由申請(qǐng)人自行確定研究?jī)?nèi)容的課題；指定命題開放課題則由實(shí)驗(yàn)室指定具體的研究開發(fā)內(nèi)容及技術(shù)指標(biāo)。具體如下：

（一）自主命題開放課題

自主命題開放課題需符合實(shí)驗(yàn)室研究方向，可參考以下研究?jī)?nèi)容：

1、高可靠性被動(dòng)電子元器件設(shè)計(jì)仿真

2、新型被動(dòng)電子元器件前沿材料及工藝技術(shù)

（二）指定命題開放課題

1、一體成型電感用膠水材料特性研究（應(yīng)用基礎(chǔ)研究類）

2、疊層功率類電感產(chǎn)品用鐵氧體磁粉的研發(fā)（應(yīng)用基礎(chǔ)研究類）

3、電子元器件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)（應(yīng)用基礎(chǔ)研究類）

三、指定命題開放課題具體內(nèi)容

（一）一體成型電感用膠水材料特性研究

1、問題描述

現(xiàn)階段因缺乏下一代高性能一體成型電感用膠水材料的熱特性和理化特性研究基礎(chǔ)，導(dǎo)致下一代技術(shù)儲(chǔ)備不足，無法應(yīng)對(duì)未來市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品高效率，高可靠性需求。

2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題/技術(shù)指標(biāo)

（1）需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題

探究一體成型電感用復(fù)合環(huán)氧膠材理化特性和熱特性，環(huán)氧樹脂與固化劑復(fù)合配比對(duì)一體成型電感冷壓熱壓工藝的作用機(jī)理。

（2）技術(shù)指標(biāo)

開發(fā)一款膠材，并滿足以下要求：

①抗壓強(qiáng)度(Mpa):85；

②抗壓模量(Gpa):2.2；

③伸張強(qiáng)度(Mpa):36；

④伸張模量(Gpa):8.1；

⑤最大伸長(zhǎng)率%:10；

⑥彎曲強(qiáng)度(Mpa):80；

⑦體積收縮率%:0.3；

⑧吸水率%:＜0.1；

⑨邵氏硬度(D)84；

⑩導(dǎo)熱系數(shù):0.36w/m°k；

?體積電阻率(歐姆.厘米):1.0×10^15；

?表面電阻(歐姆):1.0×10^14；

?耐電壓(千伏/毫米):15-18；

?固化條件:200℃±20℃，時(shí)間：1小時(shí)；

?保存條件:5~30℃；

?保質(zhì)期:24個(gè)月以上；

?需要滿足RoHS要求；

?需要滿足無鹵要求。

（二）疊層功率類電感產(chǎn)品用鐵氧體磁粉的研發(fā)

1、問題描述

疊層鐵氧體電感涉及鐵氧體和銀共燒，存在燒結(jié)開裂、內(nèi)部裂紋等缺陷，而功率類產(chǎn)品要求產(chǎn)品電流較大，需要設(shè)計(jì)更厚銀層達(dá)到電流要求，就會(huì)衍生更多工藝制程問題及可靠性缺陷。

隨著客戶應(yīng)用需求標(biāo)準(zhǔn)的提高，對(duì)疊層功率類產(chǎn)品飽和電流要求更高，目前提升飽和電流的常用方法是引入低磁導(dǎo)率氣隙材料，這會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品燒結(jié)開裂、內(nèi)裂紋問題加劇，而標(biāo)桿日系同行產(chǎn)品內(nèi)部未引入氣隙層，產(chǎn)品飽和電流已達(dá)到較高水平，故需開發(fā)既具有較高磁導(dǎo)率、又具有優(yōu)異飽和特性的鐵氧體磁粉，以最優(yōu)設(shè)計(jì)進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)及生產(chǎn)。

2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題/技術(shù)指標(biāo)

①環(huán)壓力300MPa，磁環(huán)的“飽和電流”Isat（電流從0加載至Isat，Ls降低至70%）≥3.5 A（磁環(huán)外徑22.5mm、內(nèi)徑11.5mm，繞線滿圈密繞）；

②燒結(jié)后晶粒尺寸：2-6 um；

③μi（4MHz）：130-250；

④居里溫度/(℃)：≥200℃；

⑤燒結(jié)溫度/℃：≤900℃；

⑥致密性：無孔洞；

⑦量產(chǎn)技術(shù)，單批次可以生產(chǎn)10 kg以上；

⑧細(xì)粉體分散技術(shù)探索，確保流平性及疊層過程順利進(jìn)行。

（三）電子元器件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

1、問題描述

①高頻溫升測(cè)試一般測(cè)2~3個(gè)頻率點(diǎn)，單顆產(chǎn)品單個(gè)頻率從測(cè)試、溫升、降溫持續(xù)時(shí)間約30min，測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)、效率低。單個(gè)頻率點(diǎn)測(cè)試完成后需將樣品恢復(fù)至常溫后再測(cè)試，否則容易導(dǎo)致第二或第三個(gè)頻率點(diǎn)測(cè)試數(shù)據(jù)不精準(zhǔn)。但樣品自動(dòng)恢復(fù)常溫用時(shí)較長(zhǎng)，需額外配套降溫系統(tǒng)。

②01005、0201等規(guī)格片式元器件難以裝夾，現(xiàn)有夾具每次只能裝夾一個(gè)，且需在放大鏡下放置于夾具中進(jìn)行測(cè)試，容易出現(xiàn)因放置不良導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果誤差大以及測(cè)試耗時(shí)等問題。

③溫度特性測(cè)試受容量、阻值、測(cè)試頻率等影響較大，測(cè)試結(jié)果容易出現(xiàn)誤差。

2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題/技術(shù)指標(biāo)

完成高頻溫升試驗(yàn)臺(tái)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)、微小高頻元器件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、阻容感溫度特性自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)三個(gè)系統(tǒng)開發(fā)，具體指標(biāo)如下：

（1）高頻溫升試驗(yàn)臺(tái)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

①通過視覺抓取上料庫中的樣品，精準(zhǔn)放入現(xiàn)有測(cè)試夾具中，并可設(shè)定自動(dòng)程序（測(cè)試時(shí)間等參數(shù)），完成一個(gè)樣品測(cè)試后抓取回下料庫，再放入下一個(gè)樣品，聯(lián)動(dòng)現(xiàn)有溫升測(cè)試臺(tái)寫入測(cè)試程序及參數(shù)并遠(yuǎn)控開啟或停止實(shí)驗(yàn)；

②測(cè)試多個(gè)頻率點(diǎn)，單個(gè)頻率點(diǎn)測(cè)試完畢自動(dòng)識(shí)別下一個(gè)測(cè)試頻率點(diǎn)，自動(dòng)測(cè)試并保存數(shù)據(jù)；

③實(shí)現(xiàn)過程單粒產(chǎn)品步進(jìn)式溫升（例：每2min提升0.5A）和快速降溫，快速恒溫至25℃，產(chǎn)品測(cè)試溫快速散熱實(shí)現(xiàn)降溫；

④適用于現(xiàn)有規(guī)格尺寸（英制01005~2512）的阻容感產(chǎn)品。

（2）微小高頻元器件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

①夾具一次性可裝夾5-10粒樣品，滿足20GHz頻率測(cè)量，裝夾可以是機(jī)械手或者其它方式；

②開發(fā)可裝夾01005和0201兩種規(guī)格樣品的夾具；

③測(cè)量方式可采用多探針或者單探針，可自動(dòng)識(shí)別產(chǎn)品，自動(dòng)校準(zhǔn)補(bǔ)償，并自動(dòng)測(cè)量產(chǎn)品；

④測(cè)量產(chǎn)品需使用現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)分析儀（如現(xiàn)用網(wǎng)絡(luò)分析儀不適用，可配套性能達(dá)標(biāo)、功能相同的網(wǎng)絡(luò)分析儀），相互間的連接須匹配，重復(fù)測(cè)量精度S參數(shù)≤±1.5%；

⑤自動(dòng)記錄測(cè)量數(shù)據(jù)，測(cè)量過程在顯示屏放大顯示，可以觀察裝夾及測(cè)量部位是否正常。測(cè)量完成自動(dòng)回收產(chǎn)品；

⑥適用于現(xiàn)有規(guī)格尺寸（英制01005~2512）的阻容感產(chǎn)品。

（3）阻容感溫度特性自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

①可實(shí)現(xiàn)-55℃~150℃的溫度調(diào)控，阻容感（阻值、容值、感量和阻抗）測(cè)試精度≤0.1%，溫度精度±1℃；

②電阻測(cè)試電壓10mV至200V可選；電容、電感測(cè)試電壓10mV至10V可選，頻率100Hz至500MHz可選；

③電阻值測(cè)試范圍：10mΩ至100MΩ；電容量測(cè)試范圍：10pF至100μF；電感量測(cè)試范圍：1nH至1mH，阻抗測(cè)試范圍：10mΩ至5kΩ；

④單次測(cè)試樣品量≥56只，同時(shí)具備安裝和非安裝兩種方式；

⑤適用于現(xiàn)有規(guī)格尺寸（英制01005~2512）的阻容感產(chǎn)品。

四、課題申請(qǐng)

符合條件的申請(qǐng)人，可登陸網(wǎng)站“http://121.46.31.210:7009/”注冊(cè)會(huì)員后開展相關(guān)課題申請(qǐng)工作。

（一）會(huì)員注冊(cè)

登陸實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)站，點(diǎn)擊“會(huì)員注冊(cè)”完善個(gè)人基本信息，實(shí)驗(yàn)室通過審核后，即可登陸“開發(fā)課題管理平臺(tái)”開展申請(qǐng)工作。

（二）課題申請(qǐng)

申請(qǐng)人在12月2日前完成在線資料提交，具體包括填寫“開放課題申請(qǐng)簡(jiǎn)表”，并按照“開放課題附件上傳類目”的要求上傳相關(guān)附件（開放課題申請(qǐng)表、申請(qǐng)材料真實(shí)性聲明可在開放課題管理平臺(tái)“下載中心”欄下載）。

（三）形式審查

實(shí)驗(yàn)室對(duì)申請(qǐng)材料的合規(guī)性、一致性、完整性進(jìn)行審查核實(shí)，形式審查通過后將郵件通知申請(qǐng)人提交紙質(zhì)材料。

（四）紙質(zhì)材料

通過形式審查的申請(qǐng)人打印申報(bào)材料，并附相關(guān)附件，經(jīng)所在單位加蓋公章后，在12月9日前將紙質(zhì)版材料（原件1份，復(fù)印件2份）郵寄實(shí)驗(yàn)室（日期以寄出郵戳為準(zhǔn)）。電子版發(fā)送至郵箱xiexiaoluan@fh.com.cn。

（五）專家評(píng)審

實(shí)驗(yàn)室組織專家進(jìn)行評(píng)審，主要以申請(qǐng)人的研發(fā)實(shí)力（包括研發(fā)設(shè)施、環(huán)境、研發(fā)團(tuán)隊(duì)、取得成果）、產(chǎn)學(xué)研合作經(jīng)驗(yàn)、基礎(chǔ)，項(xiàng)目帶頭人項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)、誠(chéng)信度、服務(wù)水平，以及課題經(jīng)費(fèi)為考評(píng)依據(jù)，對(duì)申請(qǐng)人進(jìn)行全面評(píng)議，確定資助課題。

（六）立項(xiàng)及合同簽訂

獲實(shí)驗(yàn)室資助的課題將以郵件形式發(fā)送立項(xiàng)通知，并于立項(xiàng)通知發(fā)送之日起30日內(nèi)與申請(qǐng)人簽訂具體項(xiàng)目的合作合同。

五、課題實(shí)施期限及課題經(jīng)費(fèi)

1、實(shí)驗(yàn)室開放課題實(shí)施期間為簽訂合同之日起2年內(nèi)完成。

2、實(shí)驗(yàn)室自主命題開放課題5-10萬元/項(xiàng)；指定命題開放課題1和課題2資助額度為10-25萬元，課題3資助額度不超過55萬元。

六、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：謝小姐

郵   箱：xiexiaoluan@fh.com.cn

聯(lián)系電話：15889272375

傳   真：0758-6923565

聯(lián)系地址：廣東省肇慶市端州區(qū)風(fēng)華路18號(hào)風(fēng)華電子工業(yè)園1號(hào)樓

         新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

                          2024年11月18日